硅基半導(dǎo)體自旋量子比特實(shí)現(xiàn)超快操控
記者16日從中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲悉,該校郭光燦院士團(tuán)隊(duì)郭國(guó)平教授等與國(guó)內(nèi)外研究者合作,實(shí)現(xiàn)了硅基自旋量子比特的超快操控,其自旋翻轉(zhuǎn)速率超過(guò)540MHz(兆赫),這也是目前國(guó)際上已報(bào)道的最高值。研究成果日前在線發(fā)表在國(guó)際期刊《自然·通訊》上。
硅基半導(dǎo)體自旋量子比特以其長(zhǎng)量子退相干時(shí)間和高操控保真度,以及與現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝技術(shù)兼容的高可擴(kuò)展性,成為量子計(jì)算研究的核心方向之一。高操控保真度要求比特在擁有較長(zhǎng)的量子退相干時(shí)間的同時(shí)具備更快的操控速率。傳統(tǒng)方案利用電子自旋共振方式實(shí)現(xiàn)自旋比特翻轉(zhuǎn),這種方式的比特操控速率較慢。近幾年,硅基鍺空穴體系中的自旋軌道耦合研究和實(shí)現(xiàn)超快自旋量子比特操控成為熱點(diǎn)。
由于自旋軌道耦合場(chǎng)的方向會(huì)影響自旋比特操控速率及比特初始化與讀取的保真度,因此測(cè)量并確定自旋軌道耦合場(chǎng)的方向是實(shí)現(xiàn)高保真度自旋量子比特的首要任務(wù)。研究人員進(jìn)一步優(yōu)化器件性能,在耦合強(qiáng)度高度可調(diào)的雙量子點(diǎn)中完成了自旋量子比特的泡利自旋阻塞讀取,觀測(cè)到了多能級(jí)的電偶極自旋共振譜。通過(guò)調(diào)節(jié)和選擇共振譜中所展示的不同自旋翻轉(zhuǎn)模式,實(shí)現(xiàn)了自旋翻轉(zhuǎn)速率超過(guò)540MHz的自旋量子比特超快操控。
研究人員通過(guò)建模分析,揭示了超快自旋量子比特操控速率的主要貢獻(xiàn)來(lái)自該體系的強(qiáng)自旋軌道耦合效應(yīng)。研究結(jié)果表明硅基鍺空穴自旋量子比特是實(shí)現(xiàn)全電控量子比特操控與擴(kuò)展的重要候選體系,為實(shí)現(xiàn)硅基半導(dǎo)體量子計(jì)算奠定了重要研究基礎(chǔ)。(記者吳長(zhǎng)鋒)
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